Intel y Micron Technology han presentado una nueva memoria flash. Su nombre es NAND 3D y su principal característica es la de tener tres veces más capacidad de almacenamiento que otros modelos. Además, hasta ahora, es la de mayor densidad del mundo, lo que permite este mayor almacenaje en volúmenes más pequeños, redundando en ventajas en el espacio, en un menor consumo energético y en un mayor rendimiento en la mayoría de los dispositivos móviles.
Características
Desde el punto de vista técnico, destaca el uso de celdas de puerta flotante y la composición de pilas de celdas de memoria flash aplicadas en 32 capas en módulos de celdas multinivel (MLC) de 256 GB o de celdas de triple nivel (TLC) de 384 GB y que tienen el mismo tamaño que los módulos de memoria convencionales.
El aumento de densidad permite crear una SSD de más de 3,5 TB de almacenamiento con un tamaño de un chicle de tira o bien una SSD en formato estándar de 2,5 pulgadas con una capacidad de más de 10 TB.
La gran capacidad es otro de los rasgos distintivos. De hecho, esta memoria está revolucionando el sector por su gran capacidad de almacenamiento, ya que es tres veces superior a la de otras tecnologías de memoria flash 3D que están disponibles en la actualidad con una capacidad de hasta 48 GB de NAND por chip. De este modo, se permite almacenar hasta 750 GB en un módulo del tamaño de una uña.
Además, el coste por GB es más reducido y se ofrece un mayor rendimiento gracias al gran ancho de banda en lectura y escritura, así como en lecturas aleatorias. Entre otras ventajas también figura su mayor respeto al medioambiente por sus nuevos modos de hibernación que reducen el consumo energético, que también es bastante menor en el modo de espera.